Obnoviť stránku

Samsung 850 Pro 512GB

4,9 42 hodnotení
Zobraziť alternatívy
Príslušenstvo k tovaru

Nevyhovujú vám alternatívy?

Vyberajte z celej ponuky

Samsung 850 Pro 512GB

Samsung 850 Pro má technologicky inovatívnu 3D architektúru V-NAND na dosiahnutie maximálnej rýchlosti čítania a zápisu v sekvenčnom aj náhodnom prístupe. Najnovšíia V-NAND architektúra vrství bunky na seba miesto vedľa seba. Výsledkom je vyššia hustota a vyšší výkon v menších rozmeroch, a tým prekonáva konvenčné rovinné NAND architektúry. Zároveň má oproti predchádzajúcim modelom dvojnásobnú výdrž. V-NAND technológia spoľahlivo zvládne firmy 150 TB (TBW), čo sa rovná 40 GB denne po dobu 10 rokov. Samsung si za svojím SSD stojí tak veľmi, že na neho dáva 10 ročnú záruku!
Efektívna správa napájania umožňuje pracovať dlhšie a byť produktívnejšia. 850 PRO vynakladá menej energie pri zachovaní špičkovej výkonnosti. Plne podporuje režim spánku v ultrabooku, kedy konzumuje iba 2 mW. Navyše jeho vyrovnávacia pamäť LPDDR2 spotrebuje oproti bežnej RAM pamäte o 30 % menej pri činnosti a o 93 % menej pri nečinnosti. Cez príslušný softvér je možné zvýšiť výkon pri spracovaní dát na systémovej úrovni prostredníctvom využitia voľnej pamäte RAM v počítači ako medzipamäť. Tým poskytuje až 1,8-krát vyšší výkon pri režime Rapid.
Chráňte hardvér a citlivé osobné údaje, keď budete mať notebook na cestách. Preto obsahuje 256-bitové AES šifrovanie na hardvérovej báze. Plne zabezpečí obsah disku bez zníženia výkonu. Súčasťou sú bezpečnostné prvky v súlade s normami TCG Opal v2.0, ochranou PSID a Microsoft eDrive IEEE 1667. Ďalšou vychytávkou je ochrana počítača pred prehriatím dynamickou tepelnou ochranou. Neustále monitoruje hodnoty a udržuje optimálnu prevádzkovú teplotu. Automaticky priškrtí SSD, ak je to nevyhnutné na ochranu vašich dát.

Parametre a špecifikácia

Typ úložiska

Kapacita disku 512 GB (0,5 TB)

Rozmery

Šírka 68,58 mm (6,86 cm)
Výška 7 mm (0,7 cm)
Hĺbka 100 mm (10 cm)

Farba

Farba Čierna

Použitie

Použitie Do notebooku

Vlastnosti

Rýchlosť náhodného čítania 98 000 IOPS
Rýchlosť náhodného zápisu 90 000 IOPS
Radič Samsung MEX

Veľkosť článku/bunky

Veľkosť článku/bunky MLC (Multi-Level Cell)

Spotreba

Kód:  SAS010l7
Produktové číslo:  MZ-7KE512BW
Odkazy: Stránky výrobcu

Na vašom súkromí nám záleží

My, spoločnosť Alza.cz a.s., IČO 27082440, používame súbory cookies na zaistenie funkčnosti webu a s vaším súhlasom o. i. aj na personalizáciu obsahu našich webových stránok. Kliknutím na tlačidlo „Rozumiem“ súhlasíte s využívaním cookies a predaním údajov o správaní na webe na zobrazenie cielenej reklamy na sociálnych sieťach a reklamných sieťach na ďalších weboch.

Viac informácií
Rozumiem Podrobné nastavenia Odmietnuť všetko
P-DC1-WEB02