Technológia budúcnosti
Unikátna a inovatívna architektúra flashovej pamäte 3D V-NAND je prielom prekonávajúci obmedzenia vo výkone a vytrvalosti dnešnej konvenčnej NAND architektúry. Pamäťové bunky sú naskladané v až 32 vrstvách a vďaka tomu sa výrazne zvyšuje hustota pamäťových buniek, čo okrem iného znamená väčší úložný priestor za nižšie náklady.
Dosiahnite maximum
Dosiahnite maximálny výkon čítania aj zápisu a zvýšte výkon svojho počítača s technológiou TurboWrite. 850 EVO poskytuje špičkový výkon vo svojej triede s rýchlosťou čítania a zápisu 540 MB/s a 520 MB/s.
Preraďte na vyšší rýchlostný stupeň
Využite najnovší softvér Samsung Magican a aktivujte režim RAPID, ktorý použije ako úložisko medzipamäte nevyužitú pamäť počítača (DRAM).
Vytrvalosť a spoľahlivosť podporená technológiou 3D V-NAND
Disk dokáže zdvojnásobiť celkový počet zapísaných bajtov (Total Bytes Written – TBW) v porovnaní s predchádzajúcou generáciou – a práve to mu dodáva zaručenú odolnosť, ktorú podporí aj 5-ročná záruka.